蘇州納維 非極性半極性氮化鎵自支撐襯底

蘇州納維科技有限公司成立于2007年5月，公司以中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所為技術(shù)依托，專(zhuān)注于從事GaN襯底晶片及相關(guān)設備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，提供各類(lèi)GaN材料，目前公司擁有核心技術(shù)專(zhuān)利近三十項，是中國成員之一GaN襯底晶片供應商。
目前公司針對企業(yè)、高校和研究所的不同用戶(hù)，主要提供如下產(chǎn)品：一、10～30微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底，位錯密度為107/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類(lèi)型；二、2英寸GaN自支撐襯底，厚度0.35mm，Ga面位錯腐蝕坑密度為105/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類(lèi)型；三、小尺寸GaN襯底，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類(lèi)型，單面或者雙面拋光；四、小尺寸非極性面GaN襯底，a面或者m面；五、高結晶度GaN粉體材料；六、AlN襯底。
 蘇州納維將立足于材料生長(cháng)技術(shù)和設備的持續創(chuàng  )新，在氮化物半導體材料及應用領(lǐng)域成長(cháng)為一家具有原創(chuàng  )知識產(chǎn)權和核心競爭力的國際化高科技公司，為氮化物半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻力量。